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台积电7nm+工艺升级,接纳极紫外光(EUV)微影技术

2018-10-08来源: 工商时报 要害字:台积电  EUV

晶圆代工龙头台积电连续冲刺先进制程,接纳极紫外光(EUV)微影技术的首款7+纳米芯片已经完成设计定案(tape-out),支援最多4层EUV光罩。台积电亦加速5纳米制程推进,预计明年4月可开始进行风险试产,支援的EUV光罩层将上看14层,5纳米可望如期在2020年上半年进入量产。


设备业者认为,台积电在晶圆先进制程连续推进,也推出可整合多种异质芯片的先进封装技术,最大竞争对手韩国三星短期内恐难与之抗衡。由此来看,苹果明后两年将推出的7+纳米A13及5纳米A14应用处置惩罚器,可望连续由台积电拿下独家代工订单。


随着台积电7纳米连续提升产能且良率逐步改善,台积电首款接纳EUV技术的7+纳米制程已完成研发并进入试产,与7纳米相较拥有更低功耗体现及更高集积密度,第三季初顺利完成客户首款芯片的设计定案,预期年底前会有更多客户芯片完成设计定案,明年第二季后将可顺利进入量产,届时台积电将成为全球首家接纳EUV技术量产的晶圆代工厂。


此外,创下台湾科技业界最高投资金额的台积电新12吋晶圆厂Fab 18,第一期工程希望抢在年底前完工,明年开始进入装机,第二期工程也已开始动工兴建。台积电5纳米研发进度略为超前,预期明年上半年可获得客户首款芯片的设计定案,明年4月可望进入风险试产。以进度来看,2020年上半年进入量产阶段没有太大问题。



为了搭配先进制程微缩及异质芯片整合趋势,台积电连续加码先进封装制程结构,除了整合10纳米逻辑芯片及DRAM的整合扇出层叠封装(InFO-PoP),以及整合12纳米系统单芯片及8层HBM2影象体的CoWoS封装等均进入量产,亦推出整合多颗单芯片的整合扇出暨基板封装(InFO-oS)、整合扇出影象体基板封装(InFO-MS)、整合扇出天线封装(InFO-AIP)等新技术,满足未来在人工智慧及高效能运算、5G通讯等差异市场需求。


面对三星及格芯在22纳米全耗尽型绝缘层上覆矽(FD-SOI)制程上连续获得订单,台积电优化28纳米推出的22纳米超低功耗(ULP)制程已经进入试产阶段,已有凌驾40个客户产物完成设计定案,明年将顺利进入量产,超低漏电(ULL)制程预期明年上半年获得客户芯片设计定案。


要害字:台积电  EUV

编辑:muyan 引用地址:/manufacture/2018/ic-news100827016.html
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