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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(事情载流子)的极性差异,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包罗NMOS、PMOS等。

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更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能到达最严格的设计要求:用于照明、智能电表、移动充电器、条记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新亿博娱乐平台解决方案能实现精彩的散热性能及能源效率,淘汰用料并降低总生产成本。 ...
类别:分立器件 2018-08-27 标签: MOSFET器件
mosfet - 热插拔原理
本文将探讨如何选择用于热插拔的MOSFET(金氧半场效晶体管)。 当电源与其负载突然断开时,电路寄生电感元件上的大电流摆动会发生巨大的尖峰电压,对电路上的电子元件造成十分倒霉的影响。与电池掩护应用类似,此处MOSFET可以将输入电源与其他电路隔离开来。但此时,FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接,而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重结果。这需要通过一个控制器...
类别:分立器件 2018-08-06 标签: MOSFET 热插拔
东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率mosfet
- 新封装提供双面散热,有效改善散热。东京--八月,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其接纳双面散热、低电阻、小型DSOP Advance(WF)封装。  这些新产物在“DSOP Advance”(WF)封装中安装U-MOS IX-H系列芯片...
类别:分立器件 2018-07-31 标签: 东芝 MOSFET
mosfet供需紧张,亿博娱乐平台涨价缺货,景气将连续
日前,据台湾媒体报道,随着时序进入亿博娱乐平台市场传统旺季,功率亿博娱乐平台MOSFET市场供应缺口连续扩大,国际IDM大厂又无扩增新产能,导致MOSFET价钱已连续3季度调涨,目前第三季价钱已上涨一成。而国际IDM厂下半年MOSFET产能也已被预订一空,在此情形下,ODM/OEM厂及系统厂放肆转单台湾供应商,而海内随着中兴通讯重启运营,也发动大陆厂商MOSFET订单大增,在涨价缺货...
类别:分立器件 2018-07-27 标签: MOSFET
东芝推出紧凑型功率mosfet栅极驱动器智能功率器件
-新器件尺寸显著减小,适用于汽车用三相无刷电机应用东京—东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布面向汽车用三相无刷电机推出一款全新的紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件(IPD)。该器件适用于汽车用电机驱动器应用,例如,12V电动助力转向系统(EPS)、油泵/水泵、风扇电机和电动涡轮增压器。东芝的IPD产物为高边和低边功率开关提供掩护,在汽车应用中尤为有用。通常...
类别:分立器件 2018-07-24 标签: 东芝 MOSFET
二次侧同步整流 mosfet 驱动器问市
Diodes Incorporated 为高质量应用特定尺度产物全球制造商和供货商,其产物涵盖广泛领域,包罗独立、逻辑、模拟和混淆讯号亿博娱乐平台等市场。该公司今日宣布推出 APR346 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器,可将 AC 电源转成 DC 电源,提供 5V 至 20V 的电压,提升脱机式变压器的效率。 APR346 可运作于连续导通模式 (CCM)、不连续...
类别:分立器件 2018-07-18 标签: 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器 Diodes
意法亿博娱乐平台推出全新VIPower?mosfet功率管
熔断器作用是啥?电路发生故障或异常,随着电流不停升高,而且电流升高有可能损坏电路中的某些重要器件或珍贵器件,也可能烧毁电路甚至造成火灾。电路中正确地安置了熔断器,熔断器就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候,自身熔断切断电流,从而起到掩护电路宁静运行的作用。意法亿博娱乐平台STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管,在8V...
 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,拓宽其SOT-227封装电源模块产物线,将有七款新器件接纳ThunderFET? 功率MOSFET和尺度、FRED Pt? 和沟槽式MOS势垒肖特基(TMBS?)二极管。Vishay 的这些模块提供双片、单相桥和单开关拓扑结构,并有多种额定电流和额定电压可供选择...
类别:分立器件 2018-07-02 标签: 二极管 MOSFET
东芝推出接纳新型封装的车规40V N沟道功率mosfet
—接纳小型低电阻封装,实现更低的导通电阻 TPHR7904PB, TPH1R104PB东京--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款接纳小型低电阻SOP Advance(WF)封装的新MOSFET产物——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”,这两款产物是车规40V N沟道功率MOSFET系列的最新产物。批量生产克日启动。这两款新MOSFET产物接纳...
类别:动力系统 2018-06-29 标签: 东芝 40V车规MOSFET
集微网消息(记者/邓文标),“所有功率器件都在涨价,其中电容领涨,MOSFET、IGBT、二极管等都在连续跟进涨价潮。”业内人士向集微网记者体现,自去年以来,电容涨幅凌驾十几倍,MOSFET、IGBT整体涨幅凌驾40%,未来很长一段时间功率器件涨价依旧坚挺。更严峻的是,在上游晶圆产能连续紧张的现况下,求过于供的产能只会去保大客户,中小客户很难拿到单,生存压力很大。整个功率器件...
类别:综合资讯 2018-06-19 标签: MOSFET

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MCRPCHIP工程师写的关于MOSFET驱动资料,小我私家感受立即下载
MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而发生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要凭据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动
功率MOSFET立即下载
MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和事情原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别:电机 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的事情原理立即下载
MOSFET的事情原理MOSFET的事情原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物亿博娱乐平台),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别:电机 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
功率场效应晶体管MOSFET详解立即下载
选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆亿博娱乐平台公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的生长和进步,系统设计人员必须跟上技术的生长法式,才气为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的要害特性及指标才气做出正确选择...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道
功率MOSFET的基本知识-免费立即下载
功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于亿博娱乐平台工艺技术的生长,它的性能不停提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;事情频率规模从直流到达数兆赫;掩护措施越来越完善;并开 发出种种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效应晶体管MOSFET立即下载
功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中论述了MOSFET的结构、事情原理、静态、动态特性,并对动态特性的革新进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其生长动态。 要害词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 生长 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别:模拟及混淆电路 2013年06月18日 标签: MOSFET
Switching Power Supply Design Second Edition立即下载
管(Darlington)内部的Baker钳位电路 8.3.5 比例基极驱动[2~4] 8.3.6 其他类型的基极驱动电路 参考文献 第9章 大功率场效应管(MOSFET)及其驱动电路 9.1 概述 9.2 MOSFET管的基本事情原理 9.2.1 MOSFET管的输出特性(Id-Vds) 9.2.2 MOSFET管的输入阻抗和栅极电流 9.2.3 MOSFET管栅极驱动...
类别:开关电源 2013年07月15日 标签: 开关电源
开关电源设计(第二版)立即下载
能同时满足高、低b值的晶体管事情要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的事情原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...
类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
MOSFET开关历程理解立即下载
MOSFET开关历程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关历程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关历程的要领:基于功率MOSFET的导通区特性的开关历程,并详细论述了其开关历程。开关历程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的历程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别:电机 2013年06月08日 标签: MOSFET开关历程理解
互补MOSFET的脉冲变压器隔离驱动电路设计立即下载
随着MOSFET 的应用日益广泛,在一些特殊场所经常会使用到互补MOSFET。本文针对互补MOSFET 的驱动问题进行了深入讨论,比力了常用的驱动电路,提出了一种针对互补MOSFET 设计的新型驱动电路,并通过仿真验证了结果。要害词:互补MOSFET,脉冲变压器,隔离驱动电路随着电力亿博娱乐平台器件的生长[1-2],已经泛起了种种各样的全控型器件,最常用的有适用于大功率场所的大功率晶体管(GTR...
类别:电路仿真 2013年09月19日 标签: 互补MOSFET的脉冲变压器隔离驱动电路设计

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